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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 2.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI9410BDY | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI9410BDY_05 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI9410BDY-T1 | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI9410BDY-T1-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 6200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET |
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| SI9410DY | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| SI9410DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI9410DY | TYSEMI |
获取价格 |
VDS (V) = 30V ID = 7 A (VGS = 10V) RDS(ON) 0.03 (VGS = 10V) |
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| SI9410DY | NXP |
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N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| SI9410DY | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| SI9410DY (KI9410DY) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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