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SI9407BDY-T1-GE3 PDF预览

SI9407BDY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-26 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 190K
描述
TRANSISTOR 4700 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8, FET General Purpose Small Signal

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SI9407BDY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.66配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.7 A
最大漏极电流 (ID)：4.7 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI9407BDY-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si9407BDY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
- 4.7  
Definition  
0.120 at VGS = - 10 V  
0.150 at VGS = - 4.5 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % UIS Tested  
- 60  
8 nC  
- 4.2  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
Primary Side Switch  
SO-8  
S
S
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
S
S
G
G
Top View  
D
Ordering Information: Si9407BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si9407BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
VDS  
Limit  
- 60  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
TC = 25 °C  
C = 70 °C  
- 4.7  
T
- 3.8  
- 3.2b, c  
- 2.6b, c  
- 20  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Width)  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
- 4.2  
- 2b, c  
- 15  
Continuous Source-Drain Diode Current  
IAS  
Avalanche Current  
L = 0.1 mH  
EAS  
Single-Pulse Avalanche Energy  
11  
5
mJ  
W
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
3.2  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.4b, c  
1.5b, c  
T
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
°C  
- 55 to 150  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
Typical  
Maximum  
Unit  
42  
19  
53  
25  
°C/W  
RthJF  
Steady State  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 85 °C/W.  
Document Number: 69902  
S09-0704-Rev. B, 27-Apr-09  
www.vishay.com  
1
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SI9407BDY-T1-GE3 替代型号

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BSO613SPVGHUMA1 INFINEON

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