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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI9407DY-E3 | VISHAY |
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Transistor |
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| SI9407DY-T1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| SI9410BDY | VISHAY |
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI9410BDY_05 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI9410BDY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI9410BDY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 6200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, FET |
|
| SI9410DY | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| SI9410DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI9410DY | TYSEMI |
获取价格 |
VDS (V) = 30V ID = 7 A (VGS = 10V) RDS(ON) 0.03 (VGS = 10V) |
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| SI9410DY | NXP |
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N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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