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SI9424DY-E3

更新时间： 2024-09-24 15:51:15

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威世 - VISHAY		/
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5页	65K
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Transistor

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SI9424DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI9424DY-E3 数据手册

Si9424DY

Vishay Siliconix

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

(V)

(W)

I (A)

DS(on)

0.025 @ V = -4.5 V

"7.7

"6.6

-20

0.033 @ V = -2.5 V

SO-8

Top View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25ꢁC UNLESS OTHERWISE NOTED)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-20

= 25ꢁC

= 70ꢁC

"7.7

"6.2

"30

-2.3

Continuous Drain Current (T = 150ꢁC)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

= 25ꢁC

= 70ꢁC

2.5

Maximum Power Dissipation

1.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

ꢁ

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

ꢁ

Notes

A. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Updates to this data sheet may be obtained via facsimile by calling Siliconix FaxBack, 1-408-970-5600. Please request FaxBack document #70164.

Vishay-Siliconix, 2201 Laurelwood Road, Santa Clara, CA 95054

ꢀ

Phone (408)988-8000

ꢀ

FaxBack (408)970-5600

ꢀ

www.siliconix.com

S-56950—Rev. E, 11-Jan-99 Siliconix was formerly a division of TEMIC Semiconductors

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