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SI9422DY-T1

更新时间: 2024-11-15 21:20:47
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威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 151K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

SI9422DY-T1 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.45配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):1.7 A
最大漏源导通电阻:0.42 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SI9422DY-T1 数据手册

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