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SI9410DY-T1

更新时间： 2024-09-24 14:35:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 65K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SI9410DY-T1 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.77
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI9410DY-T1 数据手册

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Si9410DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on)  
(ꢀ )  
ID (A)  
0.030 @ V = 10 V  
GS  
7.0  
6.0  
5.4  
0.040 @ V = 5 V  
GS  
30  
0.050 @ V = 4.5 V  
GS  
D
D D D  
SO-8  
N/C  
S
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
S
G
Top View  
S
S
Ordering Information: Si9410DY  
Si9410DY-T1 (with Tape and Reel)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
"20  
7.0  
DS  
GS  
V
V
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
5.8  
A
Pulsed Drain Current  
I
30  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
2.8  
T
= 25_C  
= 70_C  
2.5  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
T
A
1.6  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
50  
_C/W  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm  
Document Number: 70122  
www.vishay.com  
S-31060—Rev. M, 26-May-03  
1
 
12345

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SI9410DY-T1 替代型号

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