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SI6943BDQ-T1

更新时间： 2024-11-25 21:22:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 221K
描述
TRANSISTOR 2300 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI6943BDQ-T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.2配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：12 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A
最大漏极电流 (ID)：2.3 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI6943BDQ-T1 数据手册

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Si6943BDQ  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free Option Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 2.5  
- 1.9  
Pb-free  
•
TrenchFET® Power MOSFETs  
0.08 at VGS = - 4.5 V  
0.105 at VGS = - 2.5 V  
Available  
- 12  
RoHS*  
COMPLIANT  
S
1
S
2
TSSOP-8  
G
G
2
D
D
1
1
2
3
4
8
1
1
1
1
2
2
2
S
S
S
S
7
Si6943BDQ  
6
5
G
G
2
Top View  
D
1
D
2
Ordering Information: Si6943BDQ-T1  
Si6943BDQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 12  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 2.5  
- 2.2  
- 2.3  
- 1.8  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
- 20  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
- 1.0  
1.10  
0.70  
- 0.7  
0.80  
0.50  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
89  
Maximum  
110  
Unit  
t ≤ 10 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
120  
70  
150  
°C/W  
RthJF  
90  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 72016  
S-81056-Rev. B, 12-May-08  
www.vishay.com  
1
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SI6943BDQ-T1 替代型号

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SI6943BDQ-T1-GE3 VISHAY

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