SI6954ADQ

更新时间： 2024-01-27 06:06:59

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威世 - VISHAY		晶体电池开关晶体管功率场效应晶体管
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4页	60K
描述
N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch

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SI6954ADQ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.9 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI6954ADQ 数据手册

_C/W

Si6954ADQ

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.053 @ V = 10 V

3.4

2.9

0.075 @ V = 4.5 V

TSSOP-8

Si6954ADQ

Top View

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

3.4

2.7

3.1

2.5

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

Continuous Source Current (Diode Conduction)

0.83

1.0

0.69

0.83

0.53

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

0.96

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

126

125

150

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71130

S-00013—Rev. A, 24-Jan-00

www.siliconix.com S FaxBack 408-970-5600

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