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SI6956DQ-T1-E3

更新时间： 2024-02-26 22:27:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	87K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TSSOP-8

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SI6956DQ-T1-E3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	0.09 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI6956DQ-T1-E3 数据手册

Si6956DQ

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.09 @ V = 10 V

"2.5

"1.8

0.175 @ V = 4.5 V

TSSOP-8

Si6956DQ

Top View

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"20

= 25_C

= 70_C

"2.5

"2.0

"20

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.25

1.0

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

0.64

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

125

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70173

S-00652—Rev. E, 27-Mar-00

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

2-1

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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