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SI6953DQD84Z

更新时间： 2024-02-11 10:40:50
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 263K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 0.13ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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SI6953DQD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.75
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：2.9 A最大漏源导通电阻：0.13 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI6953DQD84Z 数据手册

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April 2001  
PRELIMINARY  
Si6953DQ  
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high  
density process is especially tailored to minimize on-  
• –2.9 A, –30 V, RDS(ON) = 130mΩ @ VGS = –10 V  
• High density cell design for extremely low RDS(ON)  
• High power and current handling capability in a  
state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand high energy pulses in the  
avalanche and commutation modes. These devices  
are particularly suited for low voltage applications such  
as notebook computer power management and other  
battery powered circuits where fast switching, low in-  
line power loss, and resistance to transisents are  
widely used surface mount package.  
• Dual MOSFET in surface mount package.  
needed.  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
SO-8  
S1  
G2  
S2  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
–30  
V
V
A
±25  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±2.9  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
±10  
PD  
W
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
6953  
Si6953DQ  
13’’  
12mm  
2500 units  
Si6953DQ Rev A(W)  
2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...9

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