5秒后页面跳转
SI6953DQ PDF预览

SI6953DQ

更新时间: 2024-01-02 17:05:04
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 36K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon,

SI6953DQ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.89最大漏极电流 (Abs) (ID):1.9 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):1 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

SI6953DQ 数据手册

  

与SI6953DQ相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SI6953DQD84Z FAIRCHILD Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 0.13ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met

获取价格

SI6954ADQ VISHAY N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch

获取价格

SI6954ADQ_08 VISHAY N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch

获取价格

SI6954ADQ-E3 VISHAY TRANSISTOR 3100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET Gen

获取价格

SI6954ADQ-T1-GE3 VISHAY N-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch

获取价格

SI6954DQ VISHAY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

获取价格