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SI6943DQ-T1

更新时间： 2024-01-20 06:18:06

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威世 - VISHAY		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	62K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8

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技术参数
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SI6943DQ-T1 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.19
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI6943DQ-T1 数据手册

Si6943DQ

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.10 @ V = -4.5 V

"2.5

"1.9

-12

0.18 @ V = -2.5 V

TSSOP-8

Si6943DQ

Top View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-12

= 25_C

= 70_C

"2.5

Continuous Drain Current (T = 150_C)

"2.0

"20

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

= 25_C

= 70_C

1.0

Maximum Power Dissipation

0.64

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

125

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70176

S-49534—Rev. E, 06-Oct-97

www.vishay.com

2-1

12 3 4 5

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与SI6943DQ-T1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SI6943DQ-T1-E3	VISHAY	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
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