SI6946DQ

更新时间： 2024-11-24 22:33:55

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管光电二极管
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描述
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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SI6946DQ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.44	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.8 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI6946DQ 数据手册

Si6946DQ

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.080 @ V = 4.5 V

2.8

2.1

0.110 @ V = 2.5

TSSOP-8

Si6946DQ

Top View

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

= 25_C

= 70_C

2.8

2.3

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

1.0

= 25_C

= 70_C

1.0

Maximum Power Dissipation

0.64

–55 to 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

125

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70177

S-49534—Rev. E, 06-Oct-97

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

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