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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSSOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.18 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.035 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-153AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI6928DQ-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 4000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET Gen |
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| SI6928DQ-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI692DQ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| SI6933DQ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET |
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| SI6933DQ | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
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| SI6933DQ-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| SI6943 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
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| SI6943BDQ | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI6943BDQ_06 | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
|
| SI6943BDQ-E3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 2300 mA, 12 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET Gen |
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