SI3493DV-T1

更新时间： 2024-09-29 22:14:03

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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5页	61K
描述
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI3493DV-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.3 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI3493DV-T1 数据手册

Si3493DV

Vishay Siliconix

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

D TrenchFETr Power MOSFET: 1.8-V Rated

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

Q_g(Typ)

D Ultra-Low On-Resistance

APPLICATIONS

0.027 @ V = −4.5 V

−7

D Load Switch

D PA Switch

−20

0.035 @ V = −2.5

−6.2

−5.2

0.048 @ V = −1.8

D Battery Switch

TSOP-6

Top View

(4) S

(3) G

3 mm

(1, 2, 5, 6) D

2.85 mm

P-Channel MOSFET

Ordering Information: Si3493DV-T1

Si3493DV-T1—E3 (Lead (Pb)-Free)

Marking Code:

93xxx

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

5 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−20

= 25_C

= 85_C

−5.3

−3.9

−7

Continuous Drain Current (T = 150_C)

−3.6

Pulsed Drain Current

−20

Continuous Diode Current (Diode Conduction)

−1.7

2.0

−0.9

1.1

= 25_C

= 85_C

Maximum Power Dissipation

1.0

0.6

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 5 sec

Steady State

62.5

110

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71936

S-41796—Rev. C, 04-Oct-04

www.vishay.com

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