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SI3499DV-T1-E3

更新时间： 2024-09-30 12:14:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 91K
描述
P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET

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SI3499DV-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.3 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

SI3499DV-T1-E3 数据手册

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Si3499DV  
Vishay Siliconix  
New Product  
P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET: 1.5-V Rated  
D Ultra-Low On-Resistance  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
Qg (Typ)  
D 100% Rg Tested  
APPLICATIONS  
0.023 @ V = −4.5 V  
−7  
GS  
0.029 @ V = −2.5 V  
−6.2  
−5.2  
−5.0  
GS  
−8  
28  
D Load Switch for Portable Devices  
0.036 @ V = −1.8 V  
GS  
0.048 @ V = −1.5 V  
GS  
TSOP-6  
Top View  
(4) S  
1
2
3
6
(3) G  
3 mm  
5
4
(1, 2, 5, 6) D  
2.85 mm  
P-Channel MOSFET  
Ordering Information: Si3499DV-T1—E3  
Marking Code: B3xxx  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
5 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
−8  
DS  
V
V
GS  
"5  
T
= 25_C  
= 85_C  
−5.3  
−3.9  
−7  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
D
J
T
A
−3.6  
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
−20  
a
Continuous Diode Current (Diode Conduction)  
I
−1.7  
2.0  
−0.9  
1.1  
S
T
= 25_C  
= 85_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
1.0  
0.6  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 5 sec  
Steady State  
Steady State  
45  
90  
25  
62.5  
110  
30  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
thJF  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 73138  
Pending—Rev. A, 18-Oct-04  
www.vishay.com  
1
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SI3499DV-T1-E3 替代型号

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