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SI3529DV-T1-GE3

更新时间： 2024-11-21 20:10:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
16页 240K
描述
Power Field-Effect Transistor

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SI3529DV-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84湿度敏感等级：1
峰值回流温度（摄氏度）：260端子面层：Pure Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

SI3529DV-T1-GE3 数据手册

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Si3529DV  
Vishay Siliconix  
N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
I
D (A)a  
Qg (Typ.)  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Definition  
0.125 at VGS = 10 V  
0.165 at VGS = 4.5 V  
0.215 at VGS = - 10 V  
0.335 at VGS = - 4.5 V  
2.250  
1.95  
•
•
TrenchFET® Power MOSFETs  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
N-Channel  
P-Channel  
40  
2.2  
- 1.76  
- 1.4  
- 40  
2.3  
APPLICATIONS  
•
Stepper Motor  
TSOP-6  
Top View  
•
Motor Drives  
D
1
S
2
G1  
S2  
G2  
D1  
S1  
D2  
1
2
3
6
5
G
2
3 mm  
G
1
4
2.85 mm  
Ordering Information: Si3529DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si3529DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
S
D
2
1
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
N-Channel  
P-Channel  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
40  
- 40  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
2.5  
2.0  
2.25b, c  
- 1.95  
- 1.56  
- 1.76b, c  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
1.8b, c  
- 1.4b, c  
TA = 70 °C  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Source-Drain Current Diode Current  
10  
- 6  
A
TC = 25 °C  
1.26  
- 1.26  
1.05b, c  
10  
- 1.05b, c  
- 6  
TA = 25 °C  
ISM  
IAS  
Pulsed Source-Drain Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
5
5
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
EAS  
1.25  
1.4  
0.9  
1.15b, c  
0.7b, c  
1.25  
1.4  
0.9  
1.15c  
0.78b, c  
mJ  
W
TC = 70 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
N-Channel  
Typ. Max.  
93  
75  
P-Channel  
Typ. Max.  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Symbol  
RthJA  
Unit  
t ≤ 10 sec  
110  
90  
93  
75  
110  
90  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.  
c. t = 10 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 150 °C/W (N-Channel) and 150 °C/W (P-Channel).  
Document Number: 73455  
S09-2277-Rev. C, 02-Nov-09  
www.vishay.com  
1
1234567...16

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与SI3529DV-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI-3552 VISHAY

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 		N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3552DV VISHAY

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 		TRANSISTOR 2500 mA, 30 V, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General P
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