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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 8.42 | Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 266512 |
| Samacsys Pin Count： | 6 | Samacsys Part Category： | Transistor |
| Samacsys Package Category： | Small Outline Packages | Samacsys Footprint Name： | TSOP 6 LEAD_1 |
| Samacsys Released Date： | 2017-04-07 09:04:50 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0275 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.97 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 25 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI3493BDV-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 8000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL |
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| Si3493DDV | VISHAY |
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P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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| SI3493DDV-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| SI3493DV | VISHAY |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI3493DV-T1 | VISHAY |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI3493DV-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI3495DV | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI3495DV_08 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20-V (D-S), 1.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI3495DV-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 20-V (D-S), 1.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI3499DV | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET |
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