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SI3493DDV-T1-GE3

更新时间： 2024-09-30 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 158K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

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SI3493DDV-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：9 weeks 6 days
风险等级：1.62配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.024 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3493DDV-T1-GE3 数据手册

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Si3493DDV  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET  
TSOP-6 Single  
S
4
• RDS(on) rating at VGS = -1.8 V  
D
5
D
6
• 100 % Rg and UIS tested  
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
3
G
2
D
APPLICATIONS  
1
D
S
• Battery management in mobile devices  
• Battery switch  
Top View  
Marking code: BQ  
G
• Load switch  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• PA switch  
-20  
0.0240  
0.0321  
0.0511  
19.8  
RDS(on) max. () at VGS = -4.5 V  
RDS(on) max. () at VGS = -2.5 V  
RDS(on) max. () at VGS = -1.8 V  
Qg typ. (nC)  
D
P-Channel MOSFET  
ID (A) a, d  
-8  
Configuration  
Single  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TSOP-6  
Lead (Pb)-free and halogen-free  
Si3493DDV-T1-GE3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
-20  
UNIT  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
VDS  
V
VGS  
8
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
-8 a  
T
-8  
Continuous drain current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
-7.5 b, c  
-6 b, c  
-32  
A
Pulsed drain current (t = 100 μs)  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
-3  
Continuous source-drain diode current  
-1.67 b, c  
Single pulse avalanche current  
Single pulse avalanche energy  
IAS  
-10  
L = 0.1 mH  
EAS  
5
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.6  
2.3  
Maximum power dissipation  
PD  
2 b, c  
1.3 b, c  
-55 to +150  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, Tstg  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
Maximum junction-to-ambient b  
SYMBOL  
RthJA  
TYPICAL  
MAXIMUM  
62.5  
UNIT  
t 5 s  
Steady state  
50  
28  
°C/W  
Maximum junction-to-case (drain)  
RthJC  
35  
Notes  
a. Package limited.  
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under steady state conditions is 110 °C/W.  
S16-2645-Rev. A, 26-Dec-16  
Document Number: 74735  
1
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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 		Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R

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