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SI3483DV-T1-GE3

更新时间： 2024-09-30 21:21:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 618K
描述
TRANSISTOR 4700 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6, FET General Purpose Small Signal

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SI3483DV-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.3配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：4.7 A
最大漏源导通电阻：0.035 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL功耗环境最大值：1.14 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Pure Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI3483DV-T1-GE3 数据手册

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Si3483DV  
Vishay Siliconix  
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 6.2  
- 5.0  
Definition  
0.035 at VGS = - 10 V  
0.053 at VGS = - 4.5 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
- 30  
APPLICATIONS  
Load Switch  
•
TSOP-6  
Top View  
(4) S  
1
6
5
3 mm  
(3) G  
2
3
4
2.85 mm  
(1, 2, 5, 6) D  
Ordering Information:  
Si3483DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si3483DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
5 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 30  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 6.2  
- 4.9  
- 4.7  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
- 3.7  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 25  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
- 1.7  
2.0  
- 0.95  
1.14  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
1.3  
0.73  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
45  
Maximum  
62.5  
Unit  
t ≤ 5 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
90  
110  
°C/W  
RthJF  
25  
30  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72078  
S09-2276-Rev. C, 02-Nov-09  
www.vishay.com  
1
1234567...10

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SI3483DV-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI3481DV-T1-E3 VISHAY

完全替代

 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3483CDV-T1-E3 VISHAY

类似代替

 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI3483DV-T1-E3 VISHAY

类似代替

 P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

与SI3483DV-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI3491DV-T1 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 4200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSOP-6, FET General Purpose
SI3491DV-T1-E3 VISHAY

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 		Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 6-Pin TSOP T/R
SI3493BDV VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3493BDV-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3493BDV-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 8000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
Si3493DDV VISHAY

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 		P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI3493DDV-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
SI3493DV VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3493DV-T1 VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI3493DV-T1-E3 VISHAY

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 		P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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