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SHD419302

更新时间： 2024-11-28 21:10:11

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	153K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LCC-3

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SHD419302 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DLCC
包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.85	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SHD419302 数据手册

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

SHD419302

TECHNICAL DATA

DATA SHEET, 970, REV. –

Formerly part number SHD4192

BIPOLAR POWER TRANSISTOR

DARLIGTON CONFIGURATION

DESCRIPTION: A DARLINGTON NPN POWER TRANSISTOR IN AN LCC-3P PACKAGE.

MAXIMUM RATINGS

RATING

(ALL RATINGS ARE AT T = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED).

CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNITS

Vdc

Collector-Emitter Voltage

(V_CEO)

5.0

8.0

120

Vdc

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current

(V_CB)

(V_EB)

Adc

(I_C)

mAdc

(I_B)

0.625

W/°C

Total Power Dissipation P_D@ T_C= 25°C

Derate above 25°C

1.6

+175

Thermal Resist. Junction to Case

Operating Junction

and Storage Temp.

R_θJC

°C/W

°C

-55

(T_J& T_stg)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

OFF CHARACTERISTICS (1)

(ALL ELECTRICAL CHARACTERISTICS T = 25°C)

Collector-Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEO

Vdc

I_C= 100mAdc, I_B= 0

0.5

mAdc

Collector Cut Off Current

I_CEX

V_CE= 80Vdc, V_{EB (off)}

= 1.5Vdc

5.0

V_CE= 80Vdc, V_{EB (off)}

= 1.5Vdc, T_C= 150°C

0.5

2.0

mAdc

Collector-Emitter Cut Off Current

Emitter-Base Cut Off Current

I_CEOV_CE= 40Vdc, I_B= 0

I_EBOV_EB= 5.0Vdc, I_C= 0

ON CHARACTERISTICS (1)

DC Current Gain

(h_FE) I_C= 4.0Adc,

750

100

18000

V_CE= 3.0Vdc

I_C= 8.0 Adc,

V_CE= 3.0Vdc

Collector-Emitter Saturation Voltage

V_CE(sat)

2.0

3.0

Vdc

(I_C= 4.0Adc, I_B= 0.2Adc)

(I_C= 8.0Adc, I_B= 0.5Adc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C= 8.0Adc, I_B= 80 mAdc)

Base-Emitter On Voltage

V_BE(sat)

4.0

2.8

Vdc

V_BE(on)

(I_C= 4.0Adc, V_CE= 3.0 Vdc)

•221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798•

• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •

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