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SHD426008

更新时间： 2024-09-21 21:19:07
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 48K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-257, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

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SHD426008 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-257
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CSFM-P3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.85
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-257JESD-30 代码：R-CSFM-P3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

SHD426008 数据手册

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SHD426008  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 943, REV. -  
PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR  
• Hermetic, Ceramic Package  
• Electrically Equivalent to 2N5401  
Absolute Maximum Ratings*  
Symbol  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Value  
150  
160  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current – Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
5.0  
V
600  
-55 to +150  
mA  
°C  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
Symbol Characteristic  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Max  
Units  
PD  
RθJC  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
3.5  
0.029  
35  
W
W/°C  
°C/W  
Electrical Characteristics  
Symbol Parameter  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Test Conditions  
Min Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage*  
Collector-Base Breakdown  
Voltage*  
IC = 1.0 mA, IB = 0  
150  
160  
-
-
V
V
V(BR)CBO  
IC = 100 µA, IE = 0  
V(BR)EBO  
ICBO  
Emitter-Base Breakdown Voltage*  
Collector Cutoff Current  
5.0  
-
-
50  
50  
V
nA  
µA  
IE = 10 µA, IC = 0  
VCB = 120 Vdc, IE = 0  
VCB = 120 Vdc, IE = 0,  
TA = 100°C  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
VEB = 3.0 Vdc, IC = 0  
-
50  
nA  
•221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798•  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SHD426009 SENSITRON

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