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SHD426306S PDF预览

SHD426306S

更新时间： 2024-09-21 19:58:31
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 38K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257AA, HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN

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SHD426306S 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-257AA
包装说明：HERMETIC SEALED, TO-257, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：S-XSFM-P3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SHD426306S 数据手册

 浏览型号SHD426306S的Datasheet PDF文件第2页 
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
SHD426306  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 849 REV. A  
BIPOLAR POWER TRANSISTOR  
(ADD SUFFIX “S” TO PART NUMBER FOR S-100 LEVEL SCREENING)  
DESCRIPTION: A SINGLE NPN POWER TRANSISTOR IN A HERMETIC TO-257 PACKAGE.  
MAXIMUM RATINGS  
RATING  
(ALL RATINGS ARE AT T = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED).  
A
MIN.  
-
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
-
-
80  
Vdc  
Collector-Emitter Voltage  
(VCEO  
(VCBO  
(VEBO  
(IC)  
)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100  
5.5  
5.0  
10  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
)
)
Collector Current-Continuous  
Collector Current, PW < 8.3ms1% duty cycle (IB)  
-
-
-
70  
0.4  
W
W/°C  
Total Power Dissipation PD @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
-
-
-
-
-
-
-
2.5  
+200  
+175  
Thermal Resist. Junction to Case  
Operating Junction Temp.  
Storage Temp.  
RθJC  
(TJ)  
(Tstg)  
°C/W  
°C  
°C  
-65  
-65  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
OFF CHARACTERISTICS  
(ALL ELECTRICAL CHARACTERISTICS T = 25°C)  
A
Collector-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO  
80  
-
-
-
-
Vdc  
IC = 100mAdc, IB = 0  
1.0  
Emitter-Base Cut Off Current  
IEBO VEB = 4.0Vdc, IC = 0  
VEB = 5.5Vdc, IC = 0  
mAdc  
-
-
-
-
1.0  
1.0  
µAdc  
µAdc  
µAdc  
µAdc  
Collector-Emitter Cut Off Current  
ICES1 VCE = 60Vdc, VBE = 0  
ICES2 VCE = 100Vdc, VBE = 0  
ICEO VCE = 40 Vdc, IB = 0  
-
-
-
-
1.0  
50  
500  
ICEX VCE = 60Vdc, VBE =-  
2.0Vdc  
TC = 150°C  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
hFE IC = 50 mAdc,  
50  
-
-
-
VCE = 5.0Vdc  
IC = 2.5 Adc,  
VCE = 5.0Vdc Pulsed  
70  
40  
-
-
200  
-
IC = 5.0 Adc,  
VCE = 5.0Vdc Pulsed  
IC = 2.55A,  
25  
VCE = 5.0Vdc Pulsed  
TC = -55°C  
•221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798•  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •  
12

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