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SHD431006S

更新时间： 2024-09-21 21:14:07
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 48K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-3

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SHD431006S 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DLCC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.86
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-CDSO-N3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

SHD431006S 数据手册

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SHD431006  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 678, REV. -  
PNP SWITCHING TRANSISTOR  
SHD431006S -- S-100 (JANTX) Screening  
• Hermetic, Ceramic Package  
• Electrically Equivalent to 2N3906  
• Surface Mount Package  
Absolute Maximum Ratings*  
Symbol  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Value  
-40  
-40  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current – Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-5.0  
V
200  
-55 to +150  
mA  
°C  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
Symbol Characteristic  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Max  
Units  
PD  
RθJC  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
690  
5.55  
180  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Electrical Characteristics  
Symbol Parameter  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Test Conditions  
Min Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICES  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
IC = 1.0 mA, IB = 0  
IC = 10 µA, IE = 0  
IE = 10 µA, IC = 0  
VCE =-30V, VBE = -3.0  
VCE = -30 V, VBE = -3.0  
-40  
-40  
-5.0  
-
-
-
-
V
V
V
nA  
nA  
Collector-Base Breakdown Voltage*  
Emitter-Base Breakdown Voltage*  
Collector Cutoff Current  
-50  
-50  
IB  
Base Cut off Current  
-
•221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798•  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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