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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JEDEC-95代码： | TO-257 |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SHD426306 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257AA, HERMET |
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| SHD426306S | SENSITRON |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-257AA, HERMET |
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| SHD4263C | SENSITRON |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-257, Metal, 3 |
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| SHD4264B | SENSITRON |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-257, Metal, |
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| SHD4264C | SENSITRON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-257, Metal, |
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| SHD4264S | SENSITRON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-257, Metal, |
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| SHD430001Q | SENSITRON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
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| SHD4301 | SENSITRON |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-S |
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| SHD430102Q | SENSITRON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 40V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, CERAMIC |
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| SHD4301S | SENSITRON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-S |
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