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SHD421009

更新时间： 2024-11-28 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 62K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3

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SHD421009 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-39
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.88最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-39
JESD-30 代码：O-MBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：1500 ns
Base Number Matches：1

SHD421009 数据手册

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SHD421009  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 2036, REV. -  
PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR  
• Hermetic Package  
• Generic Part Number 2N5153  
Absolute Maximum Ratings*  
Symbol  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Value  
80  
100  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current – Continuous  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
5.5  
V
2.0  
A
TJ  
Tstg  
-65 to +200  
-65 to +200  
°C  
°C  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
1.0  
5.7  
15  
W
mW/°C  
°C/W  
RθJC  
Electrical Characteristics  
Symbol Parameter  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Test Conditions  
Min Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
IEBO1  
IEBO2  
ICES1  
ICES2  
ICEO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
IC = 100mA, IB = 0, pulsed  
VEB = 4V, IC = 0  
80  
-
-
-
-
-
V
Base-Emitter Cutoff Current  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
50  
µA  
mA  
µA  
mA  
µA  
µA  
V
EB = 5.5V, IC = 0  
Collector-Emitter Cutoff Current  
V
CE = 60V, VBE = 0  
VCE = 100V, VBE = 0  
VCE = 40V, IB = 0  
VCE = 60V, VBE = +2, TC = 150°C  
-
-
ICEX  
500  
•221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798•  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SHD421104 SENSITRON

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