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SHD421104 PDF预览

SHD421104

更新时间： 2024-11-28 19:49:15
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 62K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN

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SHD421104 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-39
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.88最大集电极电流 (IC)：0.3 A
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-39
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

SHD421104 数据手册

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SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
SHD421104  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 4072, REV -  
SMALL SIGNAL TRANSISTOR  
DESCRIPTION: A SINGLE NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN A TO-39 PACKAGE.  
MAXIMUM RATINGS  
RATING  
(ALL RATINGS ARE AT T = 25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED).  
A
CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
-
-
-
150  
Vdc  
Collector-Emitter Voltage  
(VCEO  
(VCBO  
(VEBO  
)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
150  
6.0  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
W
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
)
)
300  
1.0  
Collector Current-Continuous  
Total Power Dissipation  
(IC)  
PD @ TC = 25°C  
5.7  
mW/°C  
Derate above 25°C  
-
-
-
-
-
15  
+200  
Thermal Resist. Junction to Case  
Operating Junction & Storage Temp.  
(TJ & Tstg)  
RθJC  
°C/W  
°C  
-65  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
OFF CHARACTERISTICS  
(ALL ELECTRICAL CHARACTERISTICS T = 25°C)  
A
Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO (1)  
150  
150  
6.0  
-
-
-
-
-
-
Vdc  
Vdc  
Vdc  
IC = 10mAdc, IB = 0  
IC = 10µAdc, IE = 0  
IE = 10µAdc, IE = 0  
VCB = 75Vdc, IE = 0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
(ICBO  
-
-
-
-
0.05  
50  
µAdc  
µAdc  
)
VCB = 75Vdc, IE = 0,  
TA = 150°C  
-
-
25  
nAdc  
-
Emitter Cutoff Current  
(IEBO  
)
VEB = 4.0Vdc, IC = 0  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain  
(hFE) IC = 0.1 mAdc  
IC = 1.0 mAdc  
35  
50  
-
IC = 10 mAdc (1)  
IC = 150 mAdc (1)  
IC = 300 mAdc (1)  
75  
100  
20  
300  
-
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
Current Gain, Bandwidth  
VCE = 20Vdc, IC =  
20mAdc,  
150  
-
-
-
MHz  
pF  
(2)  
(fT)  
f = 100MHz  
Output Capacitance (Cobo  
)
VCB = 10Vdc, IE =0,  
f = 1.0 MHz  
8.0  
•221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798•  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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