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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SHD419203 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Metal-S |
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| SHD419204 | SENSITRON |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Metal- |
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| SHD419205 | SENSITRON |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Metal- |
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| SHD4192S | SENSITRON |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-S |
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| SHD4193 | SENSITRON |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Metal-S |
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| SHD419301 | SENSITRON |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-S |
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| SHD419302 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LCC-3 |
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| SHD419305 | SENSITRON |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal- |
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| SHD4193S | SENSITRON |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Metal-S |
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| SHD4194 | SENSITRON |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Metal- |
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