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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | GENERAL PURPOSE SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1800 ns | 标称接通时间 (ton)： | 1900 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SGR2N60UF | FAIRCHILD |
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Ultra-Fast IGBT |
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| SGR2N60UFD | FAIRCHILD |
获取价格 |
Ultra-Fast IGBT |
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| SGR2N60UFDTF | ROCHESTER |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, DPAK-3 |
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| SGR2N60UFDTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, DPAK-3 |
|
| SGR2N60UFDTM | ROCHESTER |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, DPAK-3 |
|
| SGR2N60UFTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, DPAK-3 |
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| SGR30 | LUMBERG |
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Rundsteckverbinder mit Schraubverschluss nach IEC 60130-9, IP 40 |
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| SGR3000EX26 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1400 A, 2500 V, REVERSE CONDUCTING GTO SCR |
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| SGR3000GXH26 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1200 A, 4500 V, REVERSE CONDUCTING GTO SCR |
|
| SGR3000GXH28 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1200 A, 4500 V, REVERSE CONDUCTING GTO SCR, 13-120K1A, 4 PIN |
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