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SGR6N60UFTF PDF预览

SGR6N60UFTF

更新时间： 2024-11-08 19:53:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 电动机控制栅瞄准线开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 507K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, DPAK-3

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SGR6N60UFTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：150 ns
门极发射器阈值电压最大值：6.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：202 ns标称接通时间 (ton)：54 ns
Base Number Matches：1

SGR6N60UFTF 数据手册

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IGBT  
SGR6N60UF  
Ultra-Fast IGBT  
General Description  
Features  
Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors  
(IGBTs) provides low conduction and switching losses.  
The UF series is designed for applications such as motor  
control and general inverters where high speed switching is  
a required feature.  
•
•
•
High speed switching  
Low saturation voltage : V  
High input impedance  
= 2.1 V @ I = 3A  
CE(sat)  
C
Applications  
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.  
C
E
C
G
D-PAK  
E
G
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
SGR6N60UF  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
600  
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
± 20  
V
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
6
A
C
I
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
3
A
C
Pulsed Collector Current  
25  
30  
A
CM (1)  
P
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds  
@ T  
=
25°C  
W
W
°C  
°C  
D
C
@ T = 100°C  
12  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
--  
--  
4.0  
50  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
(2)  
Notes :  
(2) Mounted on 1” squre PCB (FR4 or G-10 Material)  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
SGR6N60UF Rev. A1  
1234567

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SGR6N60UFTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HGTD3N60C3S9A FAIRCHILD

类似代替

 6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
SGD04N60 INFINEON

功能相似

 Fast IGBT in NPT-technology

与SGR6N60UFTF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SGR6N60UFTF_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, LEAD FREE, D
SGR6N60UFTM ROCHESTER

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 		6A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252, DPAK-3
SGR6N60UFTM FAIRCHILD

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 		Discrete, High Performance IGBT, TO252 (D-PAK), MOLDED, 3 LEAD,OPTION AA&AB, 2500/TAPE
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