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SGR6N60UFTF_NL

更新时间： 2024-09-20 13:13:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 511K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, LEAD FREE, DPAK-3

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SGR6N60UFTF_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.65
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：202 ns标称接通时间 (ton)：54 ns
Base Number Matches：1

SGR6N60UFTF_NL 数据手册

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IGBT  
SGR6N60UF  
Ultra-Fast IGBT  
General Description  
Features  
Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors  
(IGBTs) provides low conduction and switching losses.  
The UF series is designed for applications such as motor  
control and general inverters where high speed switching is  
a required feature.  
•
•
•
High speed switching  
Low saturation voltage : V  
High input impedance  
= 2.1 V @ I = 3A  
CE(sat)  
C
Applications  
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.  
C
E
C
G
D-PAK  
E
G
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
SGR6N60UF  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
600  
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
± 20  
V
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
6
A
C
I
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
3
A
C
Pulsed Collector Current  
25  
30  
A
CM (1)  
P
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds  
@ T  
=
25°C  
W
W
°C  
°C  
D
C
@ T = 100°C  
12  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
--  
--  
4.0  
50  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
(2)  
Notes :  
(2) Mounted on 1” squre PCB (FR4 or G-10 Material)  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
SGR6N60UF Rev. A1  
1234567

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与SGR6N60UFTF_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SGR6N60UFTM ROCHESTER

获取价格

 		6A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252, DPAK-3
SGR6N60UFTM FAIRCHILD

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 		Discrete, High Performance IGBT, TO252 (D-PAK), MOLDED, 3 LEAD,OPTION AA&AB, 2500/TAPE
SGR70 LUMBERG

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 		Rundsteckverbinder mit Schraubverschluss nach IEC 60130-9, IP 40
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