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Datasheet > 晶体管 > IGBT> HGTD3N60C3S9A
HGTD3N60C3S9A PDF预览

HGTD3N60C3S9A

更新时间： 2024-09-30 22:14:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
7页 267K
描述
6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

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HGTD3N60C3S9A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.01
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：275 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：33 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：455 ns标称接通时间 (ton)：15 ns
Base Number Matches：1

HGTD3N60C3S9A 数据手册

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HGTD3N60C3S, HGTP3N60C3  
Data Sheet  
December 2001  
6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs  
Features  
o
The HGTD3N60C3S and the HGTP3N60C3 are MOS gated  
high voltage switching devices combining the best features  
of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have  
the high input impedance of a MOSFET and the low on-state  
conduction loss of a bipolar transistor. The much lower  
• 6A, 600V at T = 25 C  
C
• 600V Switching SOA Capability  
o
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 130ns at T = 150 C  
J
• Short Circuit Rating  
• Low Conduction Loss  
• Related Literature  
o
on-state voltage drop varies only moderately between 25 C  
o
and 150 C.  
The IGBT is ideal for many high voltage switching  
applications operating at moderate frequencies where low  
conduction losses are essential, such as: AC and DC motor  
controls, power supplies and drivers for solenoids, relays  
and contactors.  
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Packaging  
JEDEC TO-252AA  
Formerly developmental type TA49113.  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
Ordering Information  
G
E
PART NUMBER  
HGTD3N60C3S  
HGTP3N60C3  
PACKAGE  
TO-252AA  
TO-220AB  
BRAND  
G3N60C  
G3N60C  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A  
to obtain the TO-252AA variant in Tape and Reel, i.e.,  
HGTD3N60C3S9A.  
JEDEC TO-220AB  
E
C
G
Symbol  
C
COLLECTOR  
(FLANGE)  
G
E
Fairchild CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS  
4,364,073  
4,598,461  
4,682,195  
4,803,533  
4,888,627  
4,417,385  
4,605,948  
4,684,413  
4,809,045  
4,890,143  
4,430,792  
4,620,211  
4,694,313  
4,809,047  
4,901,127  
4,443,931  
4,631,564  
4,717,679  
4,810,665  
4,904,609  
4,466,176  
4,639,754  
4,743,952  
4,823,176  
4,933,740  
4,516,143  
4,639,762  
4,783,690  
4,837,606  
4,963,951  
4,532,534  
4,641,162  
4,794,432  
4,860,080  
4,969,027  
4,587,713  
4,644,637  
4,801,986  
4,883,767  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HGTD3N60C3S, HGTP3N60C3 Rev. B  
1234567

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HGTD3N60C3S9A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HGTD3N60C3S FAIRCHILD

完全替代

 6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
SGR6N60UFTF FAIRCHILD

类似代替

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, DPAK-3
SGR6N60UFTM FAIRCHILD

类似代替

 Discrete, High Performance IGBT, TO252 (D-PAK), MOLDED, 3 LEAD,OPTION AA&AB, 2500/TAPE

与HGTD3N60C3S9A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTD4N120B3 RENESAS

获取价格

 		1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-251AA
HGTD4N120B3D RENESAS

获取价格

 		1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-251AA
HGTD4N120B3DS RENESAS

获取价格

 		1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
HGTD4N120B3S RENESAS

获取价格

 		1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
HGTD5N60B3 RENESAS

获取价格

 		600V, N-CHANNEL IGBT, TO-251AA
HGTD5N60B3D RENESAS

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 		600V, N-CHANNEL IGBT, TO-251AA
HGTD5N60B3DS RENESAS

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 		600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
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 		1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-251AA
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 		1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA

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