5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > HGTD6N40E1
HGTD6N40E1 PDF预览

HGTD6N40E1

更新时间： 2024-10-01 22:29:11
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 36K
描述
6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs

阅读下载

中文翻译

获取价格

HGTD6N40E1 数据手册

 浏览型号HGTD6N40E1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HGTD6N40E1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HGTD6N40E1的Datasheet PDF文件第4页 
HGTD6N40E1, HGTD6N40E1S,  
HGTD6N50E1, HGTD6N50E1S  
6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs  
March 1997  
Features  
Packages  
HGTD6N40E1, HGTD6N50E1  
JEDEC TO-251AA  
• 6A, 400V and 500V  
• VCE(ON): 2.5V Max.  
• TFALL: 1.0µs  
EMITTER  
COLLECTOR  
GATE  
• Low On-State Voltage  
• Fast Switching Speeds  
• High Input Impedance  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
HGTD6N40E1S, HGTD6N50E1S  
JEDEC TO-252AA  
Applications  
• Power Supplies  
• Motor Drives  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
GATE  
• Protective Circuits  
EMITTER  
Description  
The HGTD6N40E1, HGTD6N40E1S, HGTD6N50E1, and  
HGTD6N50E1S are n-channel enhancement-mode insulated  
gate bipolar transistors (IGBTs) designed for high voltage, low  
on-dissipation applications such as switching regulators and  
motor drivers. These types can be operated directly from low  
power integrated circuits.  
Terminal Diagram  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
C
PACKAGING AVAILABILITY  
PART NUMBER  
HGTD6N40E1  
PACKAGE  
TO-251AA  
TO-251AA  
TO-252AA  
TO-252AA  
BRAND  
G6N40E  
G
HGTD6N50E1  
G6N50E  
G6N40E  
G6N50E  
E
HGTD6N40E1S  
HGTD6N50E1S  
NOTE: When ordering, use the entire part number.  
o
Absolute Maximum Ratings T = +25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HGTD6N40E1  
HGTD6N50E1  
HGTD6N40E1S  
HGTD6N50E1S  
UNITS  
Collector-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
400  
400  
500  
500  
V
V
CES  
Collector-Gate Voltage R = 1MΩ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GE  
CGR  
Gate-Emitter Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
±20  
±20  
V
GE  
C25  
C90  
o
Collector Current Continuous at T = +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
7.5  
7.5  
A
C
o
at T = +90 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
6.0  
6.0  
A
C
o
Power Dissipation Total at T = +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
60  
60  
W
C
D
o
o
Power Dissipation Derating T > +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
0.48  
0.48  
W/ C  
C
o
Operating and Storage Junction Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T , T  
-55 to +150  
-55 to +150  
C
J
STG  
INTERSIL CORPORATION’S PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS:  
4,364,073  
4,587,713  
4,641,162  
4,794,432  
4,860,080  
4,969,027  
4,417,385  
4,598,461  
4,644,637  
4,801,986  
4,883,767  
4,430,792  
4,605,948  
4,682,195  
4,803,533  
4,888,627  
4,443,931  
4,618,872  
4,684,413  
4,809,045  
4,890,143  
4,466,176  
4,620,211  
4,694,313  
4,809,047  
4,901,127  
4,516,143  
4,631,564  
4,717,679  
4,810,665  
4,904,609  
4,532,534  
4,639,754  
4,743,952  
4,823,176  
4,933,740  
4,567,641  
4,639,762  
4,783,690  
4,837,606  
4,963,951  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
File Number 2413.4  
www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
1970  
1234

中文翻译

下载PDF

与HGTD6N40E1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTD6N40E1S INTERSIL

获取价格

 		6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD6N50E1 INTERSIL

获取价格

 		6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD6N50E1 FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-251AA
HGTD6N50E1S INTERSIL

获取价格

 		6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTD6N50E1S FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
HGTD6N50E1S9A FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
HGTD7N60A4S INTERSIL

获取价格

 		600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTD7N60A4S9A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 34A I(C) | TO-252AA
HGTD7N60B3 ROCHESTER

获取价格

 		600V, N-CHANNEL IGBT, TO-251AA
HGTD7N60B3S INTERSIL

获取价格

 		14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

与HGTD6N40E1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证