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HGTD8P50G1S PDF预览

HGTD8P50G1S

更新时间： 2024-01-05 21:23:04
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
9页 113K
描述
8A, 500V P-Channel IGBTs

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HGTD8P50G1S 数据手册

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HGTD8P50G1,  
HGTD8P50G1S  
8A, 500V P-Channel IGBTs  
March 1997  
Features  
• 8A, 500V  
Package  
JEDEC TO-251AA  
EMITTER  
COLLECTOR  
GATE  
• 3.7V VCE(SAT)  
• Typical Fall Time - 1800ns  
• High Input Impedance  
• TJ = +150oC  
(FLANGE)  
COLLECTOR  
Description  
JEDEC TO-252AA  
The HGTD8P50G1 and the HGTD8P50G1S are P-channel  
enhancement-mode insulated gate bipolar transistors (IGBTs)  
designed for high voltage, low on-dissipation applications such  
as switching regulators and motor drives. This P- channel IGBT  
can be paired with N-Channel IGBTs to form a complementary  
power switch and it is ideal for half bridge circuit configurations.  
These types can be operated directly from low power integrated  
circuits.  
(FLANGE)  
COLLECTOR  
GATE  
EMITTER  
PACKAGING AVAILABILITY  
Symbol  
PART NUMBER  
HGTD8P50G1  
PACKAGE  
TO-251AA  
TO-252AA  
BRAND  
G8P50G  
G8P50G  
C
HGTD8P50G1S  
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A  
to obtain the TO-252AA variant in the tape and reel, i.e.,  
HGTD8P50G1S9A.  
G
E
The development type number for these devices is TA49015.  
o
Absolute Maximum Ratings  
T
= +25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HGTD8P50G1/G1S  
UNITS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . BV  
Emitter-Collector Breakdown Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . BV  
-500  
10  
V
V
CES  
ECS  
Collector Current Continuous  
o
At T = +25 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
-12  
-8  
A
A
C
C25  
C90  
o
At T = +90 C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
Collector Current Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
-18  
±20  
±30  
A
V
V
CM  
GES  
GEM  
Gate-Emitter Voltage Continuous. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
Gate-Emitter Voltage Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
o
Switching SOA at T = +25 C, V = -350V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .SSOA  
C
CL  
No Snubber, Figure 17 - Circuit 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
With 0.1µF Capacitor, Figure 17 - Circuit 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
-3  
-18  
A
A
o
Power Dissipation Total at T = +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
66  
0.53  
W
C
D
o
o
Power Dissipation Derating T > +25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
W/ C  
C
o
Operating and Storage Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T , T  
-40 to +150  
+260  
C
J
STG  
o
Maximum Lead Temperature for Soldering . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
(0.125" from case for 5s)  
C
L
NOTE:  
o
1. T = 25 C, V = 350V, R = 25Ω, Figure 17 - Circuit 2 (C = 0.1µF)  
J
CL  
GE  
1
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
File Number 3649.3  
www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
1
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HGTD8P50G1S 替代型号

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