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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGTD6N120B3S | RENESAS |
获取价格 |
1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
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| HGTD6N40E1 | INTERSIL |
获取价格 |
6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTD6N40E1S | INTERSIL |
获取价格 |
6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTD6N50E1 | INTERSIL |
获取价格 |
6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTD6N50E1 | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-251AA |
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| HGTD6N50E1S | INTERSIL |
获取价格 |
6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
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| HGTD6N50E1S | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA |
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| HGTD6N50E1S9A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA |
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| HGTD7N60A4S | INTERSIL |
获取价格 |
600V, SMPS Series N-Channel IGBT |
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| HGTD7N60A4S9A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 34A I(C) | TO-252AA |
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