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SGR2N60UFDTF

更新时间： 2024-09-20 21:16:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 栅
页数 文件大小 规格书
7页 494K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, DPAK-3

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SGR2N60UFDTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.67其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2.4 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：160 ns门极发射器阈值电压最大值：7.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：291 ns标称接通时间 (ton)：43 ns
Base Number Matches：1

SGR2N60UFDTF 数据手册

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IGBT  
SGR2N60UF  
Ultra-Fast IGBT  
General Description  
Features  
Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors  
(IGBTs) provides low conduction and switching losses.  
The UF series is designed for applications such as motor  
control and general inverters where high speed switching is  
a required feature.  
•
•
•
High speed switching  
Low saturation voltage : V  
High input impedance  
= 2.1 V @ I = 1.2A  
CE(sat)  
C
Applications  
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.  
C
E
C
G
D-PAK  
E
G
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
SGR2N60UF  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
600  
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
± 20  
V
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
2.4  
A
C
I
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
1.2  
10  
A
C
Pulsed Collector Current  
A
CM (1)  
P
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds  
@ T  
=
25°C  
25  
W
W
°C  
°C  
D
C
@ T = 100°C  
10  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
--  
--  
5.0  
50  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
(2)  
Notes :  
(2) Mounted on 1” squre PCB (FR4 or G-10 Material)  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
SGR2N60UF Rev. A1  
1234567

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与SGR2N60UFDTF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SGR2N60UFDTM ROCHESTER

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 2.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252, DPAK-3
SGR2N60UFTF FAIRCHILD

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 		Rundsteckverbinder mit Schraubverschluss nach IEC 60130-9, IP 40
SGR50/6 LUMBERG

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