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SGP30N60

更新时间： 2024-09-18 22:21:55

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
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描述
Fast IGBT in NPT-technology

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SGP30N60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.16	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	41 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	70 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	58 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	391 ns	标称接通时间 (ton)：	78 ns
Base Number Matches：	1

SGP30N60 数据手册

SGP30N60, SGB30N60

SGW30N60

Fast IGBT in NPT-technology

• 75% lower E_offcompared to previous generation

combined with low conduction losses

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P-TO-263-3-2 (D²-PAK) P-TO-247-3-1

(TO-263AB)

(TO-247AC)

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_CE(sat)

T_j

Package

Ordering Code

SGP30N60

SGB30N60

SGW30N60

600V

30A

2.5V

TO-220AB

TO-263AB

TO-247AC

Q67040-A4463

Q67041-A4713

Q67040-S4237

150°C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

112

Turn off safe operating area

V_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 30 A, V_CC= 50 V, R_GE= 25 Ω,

start at T_j= 25°C

165

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

t_SC

250

µs

P_{t ot}

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55...+150

°C

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Jul-02

12 3 4 5 6 7...12

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SGP30N60 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IGB20N60H3	INFINEON	类似代替	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL
IGB15N60T	INFINEON	类似代替	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology
IGW40T120	INFINEON	功能相似	Low Loss IGBT in Trench and Fieldstop technology

与SGP30N60相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGP30N60_08	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGP30N60_09	INFINEON	获取价格	Fast IGBT in NPT-technology
SGP30N60HS	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
SGP30N60HS_09	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
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SGP30N60XKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
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SGP3A	GOOD-ARK	获取价格
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