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SGP40N60UFTU PDF预览

SGP40N60UFTU

更新时间： 2024-09-20 13:13:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 549K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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SGP40N60UFTU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：280 ns门极发射器阈值电压最大值：7.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：254 ns标称接通时间 (ton)：67 ns
Base Number Matches：1

SGP40N60UFTU 数据手册

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IGBT  
SGP40N60UF  
Ultra-Fast IGBT  
General Description  
Features  
Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors  
(IGBTs) provides low conduction and switching losses.  
The UF series is designed for applications such as motor  
control and general inverters where high speed switching is  
a required feature.  
•
•
•
High speed switching  
Low saturation voltage : V  
High input impedance  
= 2.1 V @ I = 20A  
CE(sat)  
C
Applications  
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.  
C
E
G
TO-220  
G C E  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
SGP40N60UF  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
600  
± 20  
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
V
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
40  
A
C
I
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
20  
A
C
Pulsed Collector Current  
160  
A
CM (1)  
P
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds  
@ T  
=
25°C  
160  
W
W
°C  
°C  
D
C
@ T = 100°C  
64  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
0.77  
62.5  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
SGP40N60UF Rev. A1  
1234567

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