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SGP5N60RUFTU PDF预览

SGP5N60RUFTU

更新时间： 2024-09-20 13:13:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
7页 529K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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SGP5N60RUFTU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：280 ns门极发射器阈值电压最大值：8 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：18 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：290 ns
标称接通时间 (ton)：39 nsBase Number Matches：1

SGP5N60RUFTU 数据手册

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IGBT  
SGP5N60RUF  
Short Circuit Rated IGBT  
General Description  
Features  
Fairchild's RUF series of Insulated Gate Bipolar Transistors  
(IGBTs) provide low conduction and switching losses as  
well as short circuit ruggedness. The RUF series is  
•
•
•
•
Short circuit rated 10us @ T = 100°C, V = 15V  
C
GE  
High speed switching  
Low saturation voltage : V  
High input impedance  
= 2.2 V @ I = 5A  
CE(sat)  
C
designed for  
applications such as motor control,  
uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters  
where short circuit ruggedness is a required feature.  
Applications  
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.  
C
E
G
TO-220  
G C E  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Description  
SGP5N60RUF  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
600  
CES  
GES  
Gate-Emitter Voltage  
± 20  
V
Collector Current  
@ T  
=
25°C  
8
A
C
I
I
C
Collector Current  
@ T = 100°C  
5
A
C
Pulsed Collector Current  
15  
10  
A
CM (1)  
T
Short Circuit Withstand Time  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds  
@ T = 100°C  
us  
W
W
°C  
°C  
SC  
C
P
@ T  
=
25°C  
60  
D
C
@ T = 100°C  
25  
C
T
-55 to +150  
-55 to +150  
J
T
stg  
T
300  
°C  
L
Notes :  
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.0  
θJC  
θJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
62.5  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
SGP5N60RUF Rev. A1  
1234567

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