Datasheet > 晶体管 > IGBT> SGP30N60HS

SGP30N60HS

更新时间： 2024-09-19 06:11:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	384K
描述
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SGP30N60HS 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	41 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	301 ns	标称接通时间 (ton)：	39 ns
Base Number Matches：	1

SGP30N60HS 数据手册

SGP30N60HS

SGW30N60HS

High Speed IGBT in NPT-technology

• 30% lower E_offcompared to previous generation

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for operation above 30 kHz

• NPT-Technology for 600V applications offers:

- parallel switching capability

PG-TO-220-3-1

PG-TO-247-3

- moderate E_offincrease with temperature

- very tight parameter distribution

•

High ruggedness, temperature stable behaviour

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Qualified according to JEDEC¹for target applications

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

E_off)

T_j

Marking

Package

SGP30N60HS

SGW30N60HS

Maximum Ratings

Parameter

600V

480µJ

G30N60HS PG-TO-220-3-1

G30N60HS PG-TO-247-3

150°C

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

600

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

Turn off safe operating area

I_Cpuls

112

_CE≤ 600V, T_j≤ 150°C

Avalanche energy single pulse

I_C= 20A, V_CC=50V, R_GE=25Ω

start T_J=25°C

E_AS

165

Gate-emitter voltage static

V_GE

t_SC

±20

±30

transient (t_p<1µs, D<0.05)

Short circuit withstand time²⁾

µs

°C

_GE= 15V, V_CC≤ 600V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

P_tot

250

T_j,

-55...+150

T_stg

Time limited operating junction temperature for t < 150h

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

T_j(tl)

175

260

¹J-STD-020 and JESD-022

²⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.4 Nov 09

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

SGP30N60HS 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SGP07N120	INFINEON	完全替代	Fast IGBT in NPT-technology
IRG4PC50WPBF	INFINEON	功能相似	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50UDPBF	INFINEON	功能相似	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与SGP30N60HS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGP30N60HS_09	INFINEON	获取价格	High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
SGP30N60HSXK	INFINEON	获取价格	暂无描述
SGP30N60XKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
SGP34063	SECOS	获取价格	DC To DC Converter Controller
SGP3A	GOOD-ARK	获取价格
SGP3H	GOOD-ARK	获取价格
SGP3R	GOOD-ARK	获取价格	Rectifier Diode,
SGP3U	GOOD-ARK	获取价格	Surface Mount Glass Passivated High Efficient Rectifiers
SGP400	FAIRCHILD	获取价格	Low-Power Green-Mode PWM Flyback Power Controller without Secondary Feedback
SGP400DZ	FAIRCHILD	获取价格	Low-Power Green-Mode PWM Flyback Power Controller without Secondary Feedback

与SGP30N60HS相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

29
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

28
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

100
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

94

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SGP30N60HS

SGP30N60HS 技术参数

SGP30N60HS 数据手册

SGP30N60HS 替代型号

与SGP30N60HS相关器件

与SGP30N60HS相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SGP30N60HS

SGP30N60HS 技术参数

SGP30N60HS 数据手册

SGP30N60HS 替代型号

与SGP30N60HS相关器件

与SGP30N60HS相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？