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SGP07N120

更新时间： 2024-11-07 22:06:47

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	387K
描述
Fast IGBT in NPT-technology

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SGP07N120 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.56	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	16.5 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	61 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	24 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	520 ns	标称接通时间 (ton)：	56 ns
Base Number Matches：	1

SGP07N120 数据手册

SGP07N120

SGB07N120

Fast IGBT in NPT-technology

• 40lower E_offcompared to previous generation

• Short circuit withstand time – 10 µs

• Designed for:

- Motor controls

- Inverter

- SMPS

• NPT-Technology offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

P-TO-220-3-1

(TO-220AB)

P-TO-263-3-2 (D²-PAK)

(TO-263AB)

• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

E_off

T_j

Package

Ordering Code

Q67040-S4272

SGP07N120

SGB07N120

1200V

0.7mJ

TO-220AB

150°C

TO-263AB(D2PAK) Q67040-S4273

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

DC collector current

T_C= 25°C

V_CE

I_C

1200

16.5

7.9

T_C= 100°C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

Turn off safe operating area

V_CE≤ 1200V, T_j≤ 150°C

Gate-emitter voltage

V_{G E}

E_AS

±20

Avalanche energy, single pulse

I_C= 8A, V_CC= 50V, R_GE= 25Ω, start at T_j= 25°C

Short circuit withstand time¹⁾

V_GE= 15V, 100V ≤ V_CC≤ 1200V, T_j≤ 150°C

Power dissipation

t_SC

µs

P_{t ot}

125

T_C= 25°C

Operating junction and storage temperature

T_j, T_stg

-55...+150

260

°C

Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

¹⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Jul-02

Power Semiconductors

12 3 4 5 6 7...11

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SGP07N120 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SGP30N60HS	INFINEON	完全替代	High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation
SGP15N120	INFINEON	类似代替	Fast IGBT in NPT-technology
SKP15N60	INFINEON	类似代替	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

与SGP07N120相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGP07N120XKSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 16.5A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, GREEN,
SGP08G72D1BD2SA-BBRT	ETC	获取价格	8 GB DDR3 â registered ULP DIMM
SGP08G72D1BD2SA-CCRT	ETC	获取价格	8 GB DDR3 â registered ULP DIMM
SGP100	FAIRCHILD	获取价格	Primary-side-control PWM Controller
SGP100SZ	FAIRCHILD	获取价格	Primary-side-control PWM Controller
SGP1060SD	SURGE	获取价格	Rectifier Diode,
SGP10A	SURGE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41,
SGP10B	SURGE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41,
SGP10D	SURGE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41,
SGP10G	SURGE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, DO-41,

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