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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.76 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-201AD |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 65 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 2 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SGP20M | SURGE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, Silicon, DO-201AD, |
|
| SGP20N60 | FAIRCHILD |
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Short Circuit Rated IGBT |
|
| SGP20N60 | INFINEON |
获取价格 |
Fast S-IGBT in NPT-technology |
|
| SGP20N60_09 | INFINEON |
获取价格 |
Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation |
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| SGP20N60HS | INFINEON |
获取价格 |
High Speed IGBT in NPT-technology |
|
| SGP20N60HS_09 | INFINEON |
获取价格 |
High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation |
|
| SGP20N60HSXK | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| SGP20N60RUF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Short Circuit Rated IGBT |
|
| SGP20N60RUFJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220, 3 PIN |
|
| SGP20N60RUFTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 32A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 |
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