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SGP23N60UFJ69Z

更新时间： 2024-11-10 15:51:07

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网电动机控制栅瞄准线晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	561K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220, 3 PIN

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SGP23N60UFJ69Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS; HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC)：	23 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	155 ns	标称接通时间 (ton)：	32 ns
Base Number Matches：	1

SGP23N60UFJ69Z 数据手册

September 2000

IGBT

SGP23N60UF

Ultra-Fast IGBT

General Description

Features

Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF

series provides low conduction and switching losses.

UF series is designed for the applications such as motor

control and general inverters where High Speed Switching

is required.

•

High Speed Switching

Low Saturation Voltage : V

High Input Impedance

= 2.1 V @ I = 12A

CE(sat)

Application

AC & DC Motor controls, General Purpose Inverters, Robotics, Servo Controls

TO-220

G C E

Absolute Maximum Ratings

T = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Description

SGP23N60UF

Units

Collector-Emitter Voltage

600

CES

GES

Gate-Emitter Voltage

± 20

Collector Current

@ T

25°C

Collector Current

@ T = 100°C

Pulsed Collector Current

CM (1)

Maximum Power Dissipation

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds

@ T

25°C

100

°C

@ T = 100°C

-55 to +150

stg

300

°C

Notes :

(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

1.2

62.5

Units

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

θJC

θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

SGP23N60UF Rev. A

12 3 4 5 6

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与SGP23N60UFJ69Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SGP23N60UFTU	FAIRCHILD	获取价格	Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 12 A
SGP23N60UFTU	ONSEMI	获取价格	IGBT，600V，PT
SGP25C	ETC	获取价格	GPS SMT Patch Antenna
SGP25D	ETC	获取价格	GPS SMT Patch Antenna
SGP2A	GOOD-ARK	获取价格
SGP2H	GOOD-ARK	获取价格
SGP2R	GOOD-ARK	获取价格
SGP30B	SURGE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, DO-201AD,
SGP30G	SURGE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, DO-201AD,
SGP30J	SURGE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon, DO-201AD,