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SFW9520

更新时间： 2024-09-14 21:54:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 228K
描述
Advanced Power MOSFET

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SFW9520 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：144 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：49 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SFW9520 数据手册

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SFW/I9520  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = -100 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
Ω
RDS(on) = 0.6  
ID = -6.0 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
175oC Operating Temperature  
Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = -100V  
Low RDS(ON) : 0.444 Ω (Typ.)  
D2-PAK  
I2-PAK  
2
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
-100  
-6.0  
-4.0  
-24  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (TC=25oC)  
Continuous Drain Current (TC=100oC)  
Drain Current-Pulsed  
ID  
A
1
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
A
V
O
Gate-to-Source Voltage  
±30  
144  
-6.0  
4.9  
2
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
O
1
O
1
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
V/ns  
W
O
3
Peak Diode Recovery dv/dt  
-6.5  
3.8  
O
o
*
Total Power Dissipation (TA=25 C)  
Total Power Dissipation (TC=25oC)  
Linear Derating Factor  
PD  
49  
W
W/oC  
0.33  
Operating Junction and  
TJ , TSTG  
- 55 to +175  
300  
Storage Temperature Range  
oC  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
--  
--  
--  
3.06  
40  
oC/W  
RθJA  
RθJA  
*
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. C  
1234567

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与SFW9520相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SFW9520TM ROCHESTER

获取价格

 		6A, 100V, 0.6ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
SFW9520TM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SFW9530 FAIRCHILD

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 		Advanced Power MOSFET
SFW9530TM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
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 		ADVANCED POWER MOSFET
SFW9614TM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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