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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 182 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 38 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 11 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFW9624TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SFW9630 | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| SFW9630TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| SFW9634 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
| SFW9634TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| SFW9640 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET |
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| SFW9640TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| SFW9640TM-SBEA021 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SFW9644 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| SFW9644TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 250V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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