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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SFW9640TM
SFW9640TM PDF预览

SFW9640TM

更新时间： 2024-11-06 13:13:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 263K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

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SFW9640TM 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.35
雪崩能效等级（Eas）：807 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：123 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SFW9640TM 数据手册

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SFW/I9640  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = -200 V  
RDS(on) = 0.5 W  
ID = -11 A  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
Lower Leakage Current : 10 mA (Max.) @ VDS = -200V  
Low RDS(ON) : 0.344 W (Typ.)  
D2-PAK  
I2-PAK  
2
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current (TC=25oC)  
Continuous Drain Current (TC=100oC)  
Drain Current-Pulsed  
Value  
-200  
-11  
Units  
VDSS  
V
ID  
A
-7.0  
-44  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
1
A
V
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
30  
2
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
807  
-11  
mJ  
A
O
1
O
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
1
12.3  
-5.0  
3.1  
mJ  
V/ns  
W
O
3
Peak Diode Recovery dv/dt  
O
o
*
Total Power Dissipation (TA=25 C)  
Total Power Dissipation (TC=25oC)  
Linear Derating Factor  
PD  
123  
0.98  
W
W/oC  
Operating Junction and  
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
oC  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8 “ from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
RqJC  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
Junction-to-Case  
--  
--  
--  
1.02  
40  
oC/W  
RqJA  
*
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
RqJA  
62.5  
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SFW9640TM-SBEA021 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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