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SFW9610

更新时间： 2024-11-04 22:21:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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7页 253K
描述
Advanced Power MOSFET

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SFW9610 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
雪崩能效等级（Eas）：143 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.8 A最大漏极电流 (ID)：1.75 A
最大漏源导通电阻：3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：20 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：7 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SFW9610 数据手册

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SFW/I9610  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = -200 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 3.0  
ID = -1.75 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
Lower Leakage Current : 10 mA (Max.) @ VDS = -200V  
Low RDS(ON) : 2.084 W (Typ.)  
D2-PAK  
I2-PAK  
2
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Value  
-200  
Units  
VDSS  
V
Continuous Drain Current (TC=25oC)  
Continuous Drain Current (TC=100oC)  
Drain Current-Pulsed  
-1.75  
-1.0  
ID  
A
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
1
-7.0  
A
V
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
30  
2
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
143  
-1.75  
2.0  
mJ  
A
O
1
O
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
1
mJ  
V/ns  
W
O
Peak Diode Recovery dv/dt  
3
O
-5.0  
3.1  
o
*
Total Power Dissipation (TA=25 C)  
Total Power Dissipation (TC=25oC)  
Linear Derating Factor  
PD  
20  
W
W/oC  
0.16  
Operating Junction and  
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
oC  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
1/8”  
TL  
Purposes,  
from case for 5-seconds  
Thermal Resistance  
Symbol  
RqJC  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
Junction-to-Case  
--  
--  
--  
6.25  
40  
oC/W  
RqJA  
*
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
RqJA  
62.5  
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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