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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JESD-30 代码： | O-CRFM-F2 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.9 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SD1851 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, M151, 2 PIN |
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| SD1853 | SANYO |
获取价格 |
Driver Applications |
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| SD1853-01 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, |
|
| SD1855 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE LINEAR APPLICATIONS |
|
| SD1866 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
|
| SD1866E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
|
| SD1868 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, |
|
| SD18-680 | COOPER |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 68uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP |
|
| SD18-680-R | COOPER |
获取价格 |
SD Series High Power Density, Low Profile, Shielded Inductors |
|
| SD18-681 | COOPER |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 680uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP |
|
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