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SD1855

更新时间： 2024-09-28 22:50:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管射频微波
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3页	54K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE LINEAR APPLICATIONS

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SD1855 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.230 INCH, HERMETIC SEALED, M151, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	O-CRFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	20.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SD1855 数据手册

SD1855 (TCC20L25)

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

GENERAL PURPOSE LINEAR APPLICATIONS

2.0 GHz

20 VOLTS

CLASS A

OVERLAY GEOMETRY

GOLD METALLIZED DIE

COMMON EMITTER CONFIGURATION

P_OUT2.5W MIN. WITH 6.0 dB GAIN

.230 2LFL (M151)

hermetically sealed

ORDER CODE

SD1855

BRANDING

TCC20L25

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The SD1855 is a silicon NPN planar transistor

designed for high gain linear performance at 2.0

GHz. This part uses gold metallized die and poly-

silicon site ballasting to achieve high reliability and

ruggedness. The SD1855 can be used for appli-

cations sucha as telecommunications, radar, ECM,

space and other commercial and military systems.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

V_CBO

V_CES

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

3.5

0.5

P_DISS

T_J

Power Dissipation

20.6

+200

Junction Temperature

Storage Temperature

T_STG

65 to +150

−

THERMAL DATA

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance

8.5

°C/W

1/3

November 1992

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SD1866	MICROSEMI	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
SD1866E3	MICROSEMI	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
SD1868	MICROSEMI	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
SD18-680	COOPER	获取价格	General Purpose Inductor, 68uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP
SD18-680-R	COOPER	获取价格	SD Series High Power Density, Low Profile, Shielded Inductors
SD18-681	COOPER	获取价格	General Purpose Inductor, 680uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP
SD18-681-R	COOPER	获取价格	General Purpose Inductor, 680uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, ROHS COMPLIANT
SD1868E3	MICROSEMI	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
SD18-6R2	COOPER	获取价格	General Purpose Inductor, 6.2uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP
SD18-6R2-R	COOPER	获取价格	General Purpose Inductor, 6.2uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, ROHS COMPLIANT