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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1.9 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 15 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | S BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 2000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SD1887 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, |
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| SD1887E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, |
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| SD1888 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, L Band, Silicon, NPN, |
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| SD1888-03 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS 1.6 GHz SATCOM APPLICATIONS |
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| SD1888E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, L Band, Silicon, NPN, |
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| SD18-8R2 | COOPER |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 8.2uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, CHIP |
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| SD18-8R2-R | COOPER |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 8.2uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 2020, ROHS COMPLIANT |
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| SD188SBWS | SEMTECH |
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SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| SD1891 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, L Band, Silicon, NPN |
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| SD1891-03 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
RF & MICROWAVE TRANSISTORS 1.6 GHz SATCOM APPLICATIONS |
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